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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP
部品番号
EFC6602R-TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-XFBGA, FCBGA
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
EFCP2718-6CE-020
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
-
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
55nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
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