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ECH8308-TL-H

ECH8308-TL-H

MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
部品番号
ECH8308-TL-H
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
8-ECH
消費電力(最大)
1.6W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2300pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±10V
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