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5LN01C-TB-E

5LN01C-TB-E

MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
部品番号
5LN01C-TB-E
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Last Time Buy
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
3-CP
消費電力(最大)
250mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
50V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7.8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.57nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6.6pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4V
Vgs (最大)
±10V
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