NXP USA Inc. PMWD26UN,518 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP を購入

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DataSheets

PMWD26UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

部品番号

PMWD26UN,518

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Digi-Reel®

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

パワー - 最大

3.1W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-TSSOP

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

7.8A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

30 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

700mV @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1366pF @ 16V

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