NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

部品番号

PMWD19UN,518

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

パワー - 最大

2.3W

サプライヤーデバイスパッケージ

8-TSSOP

FETタイプ

2 N-Channel (Dual)

FETの特徴

Logic Level Gate

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

30V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

5.6A

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

700mV @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

28nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1478pF @ 10V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 41207 PCS

連絡先

関連製品

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP