NXP USA Inc. PMFPB6532UP,115 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

部品番号

PMFPB6532UP,115

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

6-UDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ

DFN2020-6

消費電力(最大)

520mW (Ta), 8.3W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

FETの特徴

Schottky Diode (Isolated)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

20V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.5A (Ta)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

70 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (最大) @ ID

1V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

6nC @ 4.5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

380pF @ 10V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

1.8V, 4.5V

Vgs (最大)

±8V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 31264 PCS

連絡先

関連製品

PMFPB6532UP,115

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118