PHM12NQ20T,518
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
部品番号
PHM12NQ20T,518
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-VDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HVSON (6x5)
消費電力(最大)
62.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
14.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1230pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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