NXP USA Inc. PHB101NQ04T,118 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK を購入

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PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

部品番号

PHB101NQ04T,118

メーカー/ブランド

NXP USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Obsolete

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D2PAK

消費電力(最大)

157W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

36.6nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

2020pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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