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PMZB390UNEYL
MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1006B-3
消費電力(最大)
350mW (Ta), 5.43W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
470 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.3nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
41pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
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