PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V SOT883
部品番号
PMZB200UNEYL
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-XFDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1006B-3
消費電力(最大)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
250 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
89pF @ 15V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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