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PMFPB8040XP,115
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
6-UDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN2020-6
消費電力(最大)
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
550pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
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