Nexperia USA Inc. PHB21N06LT,118 MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK を購入

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PHB21N06LT,118

MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK

部品番号

PHB21N06LT,118

メーカー/ブランド

Nexperia USA Inc.

シリーズ

TrenchMOS™

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

サプライヤーデバイスパッケージ

D2PAK

消費電力(最大)

56W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

55V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

19A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

70 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

9.4nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

650pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±15V

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