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APTM50DSK10T3G

APTM50DSK10T3G

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
部品番号
APTM50DSK10T3G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP3
パワー - 最大
312W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP3
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
37A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
96nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4367pF @ 25V
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