APTM100A23SCTG
MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
部品番号
APTM100A23SCTG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP4
パワー - 最大
694W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP4
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Silicon Carbide (SiC)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V (1kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
36A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
270 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
308nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
8700pF @ 25V
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