APTM50DHM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
部品番号
APTM50DHM65T3G
メーカー/ブランド
シリーズ
POWER MOS 8™
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP3
パワー - 最大
390W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP3
FETタイプ
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
51A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
78 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
340nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
10800pF @ 25V
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