APTM10TDUM19PG
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
部品番号
APTM10TDUM19PG
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SP6
パワー - 最大
208W
サプライヤーデバイスパッケージ
SP6-P
FETタイプ
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
70A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
200nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5100pF @ 25V
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