LN100LA-G
MOSFET 2N-CH 1200V
部品番号
LN100LA-G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-25°C ~ 125°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-VFLGA
パワー - 最大
350mW
サプライヤーデバイスパッケージ
6-LFGA (3x3)
FETタイプ
2 N-Channel (Cascoded)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.6V @ 10µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
50pF @ 25V
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