SI3139KL-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-883 PACKAG
部品番号
SI3139KL-TP
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-101, SOT-883
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-883
消費電力(最大)
100mW
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
680mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
170pF @ 6V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V
Vgs (最大)
±12V
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