MCMN2012-TP
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
部品番号
MCMN2012-TP
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN2020-6J
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1800pF @ 4V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 4.5V
Vgs (最大)
±10V
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