IXTL2N470
MOSFET N-CH
部品番号
IXTL2N470
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
ISOPLUSi5-Pak™
サプライヤーデバイスパッケージ
ISOPLUSi5-Pak™
消費電力(最大)
220W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
4700V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
6V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
180nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6860pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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