IXTB30N100L
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
部品番号
IXTB30N100L
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-264-3, TO-264AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PLUS264™
消費電力(最大)
800W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1000V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
545nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
13200pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
±30V
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