IXYS IXFV110N10P MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220 を購入

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IXFV110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220

部品番号

IXFV110N10P

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

PolarHT™ HiPerFET™

部品のステータス

Obsolete

包装

Bulk

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-220-3, Short Tab

サプライヤーデバイスパッケージ

PLUS220

消費電力(最大)

480W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

110A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 4mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

110nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3550pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±20V

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