IXFN70N120SK
MOSFET N-CH
部品番号
IXFN70N120SK
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Chassis Mount
パッケージ・ケース
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-227B
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
1200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
68A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 15mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
161nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2790pF @ 1000V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
Vgs (最大)
+20V, -5V
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