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IXFN50N120SIC

MOSFET N-CH

部品番号

IXFN50N120SIC

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

部品のステータス

Active

包装

テクノロジー

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

動作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

47A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

50 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.2V @ 2mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

100nC @ 20V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1900pF @ 1000V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

20V

Vgs (最大)

+20V, -5V

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