IXYS IXFN30N120P MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

もっと見る DataSheets

IXFN30N120P

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

部品番号

IXFN30N120P

メーカー/ブランド

IXYS

シリーズ

Polar™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Chassis Mount

パッケージ・ケース

SOT-227-4, miniBLOC

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-227B

消費電力(最大)

890W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

1200V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

350 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

6.5V @ 1mA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

310nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

19000pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±30V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 18924 PCS

連絡先

関連製品

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B