IXFI7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
部品番号
IXFI7N80P
メーカー/ブランド
シリーズ
HiPerFET™, PolarHT™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262 (I2PAK)
消費電力(最大)
200W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
32nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1890pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 8891 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IXFI7N80P
IXFI7N80P 電子部品
IXFI7N80P 売上
IXFI7N80P サプライヤー
IXFI7N80P ディストリビュータ
IXFI7N80P データテーブル
IXFI7N80Pの写真
IXFI7N80P 価格
IXFI7N80P オファー
IXFI7N80P 最安値
IXFI7N80P 検索
IXFI7N80P を購入中
IXFI7N80P チップ