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IXDI404SI
IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ゲートタイプ
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - VIL、VIH
0.8V, 2.5V
電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
4A, 4A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
-
立ち上がり/立ち下がり時間 (標準値)
16ns, 13ns
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