SPB20N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
部品番号
SPB20N60C3ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3-2
消費電力(最大)
208W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.9V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
114nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2400pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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