IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
部品番号
IRLH5030TRPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
消費電力(最大)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
94nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5185pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±16V
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