IRG7CH30K10EF
IGBT CHIP WAFER
部品番号
IRG7CH30K10EF
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
入力方式
Standard
動作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
Die
パワー - 最大
-
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
逆回復時間 (trr)
-
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
10A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)
1200V
IGBTの種類
Trench
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic
2.56V @ 15V, 10A
電流 - コレクタパルス (Icm)
-
スイッチングエネルギー
-
ゲートチャージ
4.8nC
Td (オン/オフ) @ 25°C
10ns/90ns
試験条件
600V, 10A, 22 Ohm, 15V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 51920 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IRG7CH30K10EF
IRG7CH30K10EF 電子部品
IRG7CH30K10EF 売上
IRG7CH30K10EF サプライヤー
IRG7CH30K10EF ディストリビュータ
IRG7CH30K10EF データテーブル
IRG7CH30K10EFの写真
IRG7CH30K10EF 価格
IRG7CH30K10EF オファー
IRG7CH30K10EF 最安値
IRG7CH30K10EF 検索
IRG7CH30K10EF を購入中
IRG7CH30K10EF チップ