IRFL014NPBF
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
部品番号
IRFL014NPBF
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223
消費電力(最大)
1W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
160 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
190pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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