IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
部品番号
IRF6614TR1
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
DirectFET™ Isometric ST
サプライヤーデバイスパッケージ
DIRECTFET™ ST
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 55A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.25V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
29nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2560pF @ 20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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