IRF40H210
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
部品番号
IRF40H210
メーカー/ブランド
シリーズ
HEXFET®, StrongIRFET™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-PQFN (5x6)
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.7V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
152nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5406pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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