IPU78CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
部品番号
IPU78CN10N G
メーカー/ブランド
シリーズ
OptiMOS™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO251-3
消費電力(最大)
31W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
78 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 12µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
716pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 45128 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード IPU78CN10N G
IPU78CN10N G 電子部品
IPU78CN10N G 売上
IPU78CN10N G サプライヤー
IPU78CN10N G ディストリビュータ
IPU78CN10N G データテーブル
IPU78CN10N Gの写真
IPU78CN10N G 価格
IPU78CN10N G オファー
IPU78CN10N G 最安値
IPU78CN10N G 検索
IPU78CN10N G を購入中
IPU78CN10N G チップ