IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
部品番号
IPT60R080G7XTMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™ G7
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerSFN
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-HSOF-8
消費電力(最大)
167W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 490µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
42nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1640pF @ 400V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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