IPG20N10S4L35ATMA1
MOSFET 2N-CH 8TDSON
部品番号
IPG20N10S4L35ATMA1
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
パワー - 最大
43W
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-4
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.1V @ 16µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17.4nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1105pF @ 25V
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