IPAN65R650CEXKSA1
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
部品番号
IPAN65R650CEXKSA1
メーカー/ブランド
シリーズ
CoolMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220 Full Pack
消費電力(最大)
28W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Super Junction
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 210µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
440pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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