HTNFET-DC
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
部品番号
HTNFET-DC
シリーズ
HTMOS™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
8-CDIP Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
-
消費電力(最大)
50W (Tj)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
55V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
-
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.3nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
290pF @ 28V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
10V
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