2N7635-GA
TRANS SJT 650V 4A TO-257
部品番号
2N7635-GA
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Bulk
テクノロジー
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
動作温度
-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-257-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-257
消費電力(最大)
47W (Tc)
FETタイプ
-
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Tc) (165°C)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
415 mOhm @ 4A
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
324pF @ 35V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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