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C2M0080170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
テクノロジー
SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247-4L
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 10mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
120nC @ 20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2250pF @ 1000V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
20V
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