CDBJSC10650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
部品番号
CDBJSC10650-G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F
ダイオードの種類
Silicon Carbide Schottky
電流 - 平均整流 (Io)
10A (DC)
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
1.7V @ 10A
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr
100µA @ 650V
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)
650V
スピード
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr)
0ns
動作温度 - ジャンクション
-55°C ~ 175°C
静電容量 @ Vr、F
710pF @ 0V, 1MHz
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