CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
部品番号
CDBGBSC201200-G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
ダイオードの種類
Silicon Carbide Schottky
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If
1.8V @ 10A
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr
100µA @ 1200V
ダイオード構成
1 Pair Common Cathode
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大)
1200V
電流 - 平均整流 (Io) (ダイオードあたり)
25.9A (DC)
スピード
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間 (trr)
0ns
動作温度 - ジャンクション
-55°C ~ 175°C
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