Central Semiconductor Corp
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CXDM1002N TR
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CXDM1002N TR

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
部品番号
CXDM1002N TR
メーカー/ブランド
Central Semiconductor Corp
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-243AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-89
消費電力(最大)
1.2W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
6nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
550pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
20V
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