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AOSD62666E
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
部品番号
AOSD62666E
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2.5W (Ta)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
10nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
755pF @ 30V
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