Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W を購入

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SQS415ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W

部品番号

SQS415ENW-T1_GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

部品のステータス

Active

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® 1212-8W

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® 1212-8W

消費電力(最大)

62.5W (Tc)

FETタイプ

P-Channel

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

16A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

16.1 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

82nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

4825pF @ 25V

Vgs (最大)

±20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

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