画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

MOSFET P-CHAN 80V TO252
部品番号
SQD50P08-25L_GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252AA
消費電力(最大)
136W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
25 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
137nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5350pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 5999 PCS
連絡先
のキーワード SQD50P08-25L_GE3
SQD50P08-25L_GE3 電子部品
SQD50P08-25L_GE3 売上
SQD50P08-25L_GE3 サプライヤー
SQD50P08-25L_GE3 ディストリビュータ
SQD50P08-25L_GE3 データテーブル
SQD50P08-25L_GE3の写真
SQD50P08-25L_GE3 価格
SQD50P08-25L_GE3 オファー
SQD50P08-25L_GE3 最安値
SQD50P08-25L_GE3 検索
SQD50P08-25L_GE3 を購入中
SQD50P08-25L_GE3 チップ