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SIZ730DT-T1-GE3

SIZ730DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
部品番号
SIZ730DT-T1-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
TrenchFET®
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
6-PowerPair™
パワー - 最大
27W, 48W
サプライヤーデバイスパッケージ
6-PowerPair™
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16A, 35A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
24nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
830pF @ 15V
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