SIHP21N80AE-GE3
MOSFET E SERIES 800V TO-220AB
部品番号
SIHP21N80AE-GE3
メーカー/ブランド
シリーズ
E
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
32W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
72nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1388pF @ 100V
Vgs (最大)
±30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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