Vishay Siliconix SIE832DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK を購入

画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。

DataSheets

SIE832DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

部品番号

SIE832DF-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

10-PolarPAK® (S)

サプライヤーデバイスパッケージ

10-PolarPAK® (S)

消費電力(最大)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

40V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

5.5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

3V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

77nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

3800pF @ 20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

リクエスト引用

必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。できるだけ早く対応させていただきます。

在庫あり 44640 PCS

連絡先

関連製品

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK