Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 150V を購入

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DataSheets

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V

部品番号

SIDR622DP-T1-GE3

メーカー/ブランド

Vishay Siliconix

シリーズ

TrenchFET®

部品のステータス

Active

包装

Cut Tape (CT)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

PowerPAK® SO-8

サプライヤーデバイスパッケージ

PowerPAK® SO-8DC

消費電力(最大)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

150V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

4.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

41nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1516pF @ 75V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

7.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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